典型文献
基于GaAs工艺的2～6GHz高效率收发多功能芯片设计
文献摘要：
阐述一款基于GaAsp HEMT的2～6GHz收发多功能芯片的设计,该芯片集成了收发切换开关、接收低噪声放大器和发射功率放大器,具有高集成、低噪声、高增益、高输出功率和附加效率的特点.测试结果显示,在2～6GHz,接收通道增益25dB,噪声系数小于2.5dB,输出P1dB功率13.5dBm,电流小于50mA;发射通道增益大于28dB,饱和输出功率大于23.5dBm,功率附加效率24％～38％,电流小于230mA.芯片尺寸为:3.0mm×2.2mm.
文献关键词：
集成电路设计;GaAs pHEMT;多功能芯片;低噪声;高效率;MMIC
中图分类号：
作者姓名：
王为;袁野;廖学介;滑育楠
作者机构：
成都嘉纳海威科技有限责任公司,四川 610041
文献出处：
引用格式：
[1]王为;袁野;廖学介;滑育楠-.基于GaAs工艺的2～6GHz高效率收发多功能芯片设计)[J].集成电路应用,2022(06):17-19
A类：
GaAsp,5dBm,230mA
B类：
6GHz,收发,多功能芯片,芯片设计,切换开关,低噪声放大器,发射功率,功率放大器,高集成,高增益,高输出,接收通道,25dB,噪声系数,P1dB,50mA,28dB,饱和输出功率,功率附加效率,芯片尺寸,0mm,2mm,集成电路设计,pHEMT,MMIC
AB值：
0.401773
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
