典型文献
2～6GHz高谐波抑制低噪声放大器芯片研究与设计
文献摘要：
提出了一种具有高谐波抑制比的低噪声放大器芯片拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于砷化镓pHEMT单片工艺的宽带低噪声放大器芯片,覆盖频段2～6 GHz,相对带宽达到100％.在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的增益典型值为25 dB,噪声系数5.5 dB,输出压缩1 dB功率为7 dBm,二次谐波抑制比达到35 dBc,与常规宽带低噪声放大器芯片相比,二次谐波抑制比提高了约15 dB.芯片面积2.6×2.2 mm2.该低噪声放大器芯片可广泛应用于通信系统中,用于信号的接收放大,同时具有良好的谐波抑制能力,有助于提高通信系统的集成度.
文献关键词：
宽带;低噪声放大器;谐波抑制
中图分类号：
作者姓名：
薛源;吴浩洋
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]薛源;吴浩洋-.2～6GHz高谐波抑制低噪声放大器芯片研究与设计)[J].现代信息科技,2022(10):46-49,53
A类：
B类：
6GHz,谐波抑制,研究与设计,拓扑结构,砷化镓,pHEMT,单片,宽带低噪声放大器,频段,相对带宽,在片测试,典型值,噪声系数,dBm,二次谐波,比达,dBc,mm2,通信系统,收放,抑制能力,集成度
AB值：
0.266474
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