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W波段5 W GaN四路合成功率放大器MMIC
文献摘要：
基于4英寸(1英寸= 2.54 cm)亚微米T型栅GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用AlGaN/GaN异质结构外延衬底,研制了一款W波段功率放大器单片微波集成电路(MMIC).该功率放大器MMIC通过威尔金森功分器/合成器实现4个饱和输出功率大于1.5 W的单元子电路片上功率合成,每个单元子电路采用四级级联拓扑结构,利用毫米波高低阻抗线、低寄生介质电容和λ/4传输线等元件实现低损耗拓扑结构.测试结果表明,在91～96GHz,该功率放大器MMIC线性增益大于17 dB,输入、输出回波损耗均小于-8 dB,饱和输出功率大于5 W,功率附加效率大于15％.
文献关键词：
W波段;GaN高电子迁移率晶体管(HEMT);功率放大器;功率合成;威尔金森;单片微波集成电路(MMIC)
中图分类号：
作者姓名：
许春良;杨卅男;万悦
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]许春良;杨卅男;万悦-.W波段5 W GaN四路合成功率放大器MMIC)[J].半导体技术,2022(05):391-396
A类：
96GHz
B类：
波段,四路,功率放大器,MMIC,英寸,亚微米,高电子迁移率晶体管,HEMT,AlGaN,异质结构,衬底,单片微波集成电路,威尔金森,功分器,合成器,饱和输出功率,元子,子电路,功率合成,四级,拓扑结构,毫米波,波高,低阻抗,寄生,传输线,低损耗,dB,回波损耗,功率附加效率
AB值：
0.27437
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