典型文献
0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器
文献摘要：
基于GaAs增强型pHEMT工艺,设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz～18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片.在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路,通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电.在片测试结果表明,放大器在+5 V工作电压下,工作电流60 mA,在0.1 GHz～18 GHz工作频段范围内实现小信号增益18 dB,输出P1 dB(1 dB压缩点输出功率)典型值12 dBm,噪声系数典型值2.5 dB.放大器的芯片尺寸为2.4 mm×1.0 mm×0.07 mm.
文献关键词：
增强型pHEMT;单电源;宽带;分布式放大器;有源偏置
中图分类号：
作者姓名：
杨楠;杨琦;刘鹏
作者机构：
中国电子科技集团第十三研究所,河北 石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]杨楠;杨琦;刘鹏-.0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器)[J].现代信息科技,2022(08):45-47,52
A类：
分布式放大器
B类：
GHz,单电源,宽带低噪声放大器,GaAs,增强型,pHEMT,工作频率,单片集成,片上集成,有源偏置,偏置电路,在片测试,+5,工作电压,mA,频段,小信号,信号增益,P1,输出功率,典型值,dBm,噪声系数,芯片尺寸
AB值：
0.277056
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