典型文献
基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC
文献摘要：
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制.该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益.用电子设计自动化(EDA)软件进行电路设计,并对全版图进行电磁场仿真.测试结果表明,当漏压为+5 V、栅压为-2.3 V时,放大器的静态电流为100 mA.在88～98GHz频带内,放大器小信号增益大于22 dB,噪声系数小于4.6 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.55 ∶ 1,输出VSWR小于1.65 ∶ 1,1 dB压缩点输出功率大于12 dBm.芯片面积为3.99 mm×1.47 mm.该LNA具有带宽宽、增益高、噪声低、输出功率高等特点,可广泛应用于W波段接收前端.
文献关键词：
GaN;高电子迁移率晶体管(HEMT);W波段;低噪声放大器(LNA);单片微波集成电路(MMIC)
中图分类号：
作者姓名：
许春良;李明;王雨桐;魏洪涛
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]许春良;李明;王雨桐;魏洪涛-.基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC)[J].半导体技术,2022(03):237-242
A类：
98GHz
B类：
GaN,HEMT,波段,低噪声放大器,MMIC,高电子迁移率晶体管,LNA,单片微波集成电路,栅极,双电源供电,第一级,重设,级间匹配,高增益,电子设计自动化,EDA,电路设计,版图,电磁场仿真,+5,静态电流,mA,频带,小信号,信号增益,噪声系数,输入电压,电压驻波比,VSWR,输出功率,dBm,宽宽,益高
AB值：
0.304541
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