典型文献
一种5～6GHz宽带全集成CMOS低噪声放大器
文献摘要：
采用55 nm标准CMOS工艺,设计并流片实现了一种应用于Wi-Fi 6(5 GHz)频段的宽带全集成CMOS低噪声放大器(LNA)芯片,包括源极退化共源共栅放大器、负载Balun及增益切换单元.在该设计中,所有电感均为片上实现;采用Balun负载,实现信号的单端转差分输出;具备高低增益模式,以满足输入信号动态范围要求.测试结果表明,在高增益模式下该放大器的最大电压增益为20.2 dB,最小噪声系数为2.2 dB;在低增益模式下该放大器的最大电压增益为15 dB,最大输入1 dB压缩点为-3.2 dBm.芯片核心面积为0.28 mm2,静态功耗为10.2 mW.
文献关键词：
低噪声放大器;巴伦;高低增益模式;Wi-Fi 6
中图分类号：
作者姓名：
桂小琰;赵振;常天海;任志雄;景磊;王祥
作者机构：
西安交通大学电信学院,西安710049;西安交通大学微电子学院,西安710049;华为技术有限公司,广东东莞523808
文献出处：
引用格式：
[1]桂小琰;赵振;常天海;任志雄;景磊;王祥-.一种5～6GHz宽带全集成CMOS低噪声放大器)[J].微电子学,2022(03):358-362
A类：
Balun,高低增益模式
B类：
6GHz,宽带,全集成,CMOS,低噪声放大器,流片,Wi,Fi,频段,LNA,共源共栅,单端,转差,差分输出,动态范围,高增益,电压增益,噪声系数,大输,dBm,mm2,静态功耗,mW,巴伦
AB值：
0.329956
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