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Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC
文献摘要：
采用0.25μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ku波段高输出功率放大器单片微波集成电路(MMIC).在器件结构上,通过优化场板尺寸参数提高器件的击穿电压,提升了其静态工作电压.在电路设计上,优化匹配结构以实现输出功率和效率的最佳匹配.测试结果表明,在14～16GHz,功率放大器MMIC实现了饱和输出功率大于100 W,功率附加效率大于40％.该48 V Ku波段GaN功率放大器MMIC具有高电压、大功率、高效率的特点,具有广阔的应用前景.
文献关键词：
功率放大器(PA);高电子迁移率晶体管(HEMT);Ku波段;输出功率;场板;单片微波集成电路(MMIC)
中图分类号：
作者姓名：
王生国;高茂原;边照科;王彪;韩雷;刘帅
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;专用集成电路重点实验室,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]王生国;高茂原;边照科;王彪;韩雷;刘帅-.Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC)[J].半导体技术,2022(12):1009-1013
A类：
16GHz
B类：
Ku,波段,GaN,大功率,功率放大器,MMIC,高电子迁移率晶体管,HEMT,高输出,单片微波集成电路,器件结构,场板,尺寸参数,击穿电压,工作电压,电路设计,优化匹配,饱和输出功率,功率附加效率,高电压,PA
AB值：
0.240063
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