典型文献
C波段高效率逆F类GaN MMIC功率放大器
文献摘要：
为了解决晶体管寄生参数对逆F(F-1)类功率放大器效率的影响,采用了一种新型的输出谐波控制结构.首先,设计二次和三次谐波控制电路,同时将直流偏置电路加入二次谐波控制电路,降低了电路设计的复杂度.其次,为了解决寄生参数对F-1类功放本征漏极端阻抗的影响,采用一段串行微带线进行寄生补偿.最后,通过微带线和电容进行基波和负载之间的匹配.为验证方法的有效性,采用0.25 μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺,设计了一款工作在5.7 GHz～6.3 GHz的F-1类微波集成电路功放.版图后仿真结果显示,F-1类功放的漏极效率DE为57.2％～62.3％,功率附加效率PAE为51.8％～57.4％,饱和输出功率为39.0 dBm～40.4 dBm,增益为 9.0 dBm～10.4 dBm.版图面积为 3.2×1.7 mm2.
文献关键词：
逆F类;GaN HEMT;MMIC;功率附加效率
中图分类号：
作者姓名：
张盼盼;王德勇;张金灿;王金婵;刘敏;刘博
作者机构：
河南科技大学电气工程学院,河南洛阳471023
文献出处：
引用格式：
[1]张盼盼;王德勇;张金灿;王金婵;刘敏;刘博-.C波段高效率逆F类GaN MMIC功率放大器)[J].微电子学,2022(06):961-966
A类：
B类：
波段,GaN,MMIC,功率放大器,寄生参数,谐波控制,控制结构,三次谐波,控制电路,直流偏置,偏置电路,二次谐波,电路设计,功放,串行,微带线,基波,验证方法,氮化镓高电子迁移率晶体管,HEMT,GHz,集成电路,版图,DE,功率附加效率,PAE,饱和输出功率,dBm,图面,mm2
AB值：
0.355297
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