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Q波段氮化镓功率放大器芯片
文献摘要：
在GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMT)工艺的基础上,成功开发设计了一款Q频段功率放大器芯片.电路使用4级级联放大拓扑,每一级均选定了合适的栅宽,结合Wilkinson功率分配及合成匹配网络来满足输出功率、增益以及功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE)等性能指标要求.测试结果表明,该芯片在37～42 GHz频段内的输出功率大于40 dBm,功率附加效率大于30％.
文献关键词：
Q波段;射频(RF)功率放大器;功率附加效率(PAE);微波单片集成电路(MMIC)
中图分类号：
作者姓名：
王海龙;崔亮
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050000
文献出处：
引用格式：
[1]王海龙;崔亮-.Q波段氮化镓功率放大器芯片)[J].通信电源技术,2022(08):66-68
A类：
B类：
波段,氮化镓,功率放大器,GaN,高电子迁移率晶体管,High,Electron,Mobility,Transistors,HEMT,开发设计,频段功率,级联放大,Wilkinson,功率分配,匹配网络,输出功率,功率附加效率,Power,Added,Efficiency,PAE,性能指标要求,GHz,dBm,RF,微波单片集成电路,MMIC
AB值：
0.437554
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