典型文献
X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC
文献摘要：
基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片.使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出功率匹配的阻抗位置.输出匹配和级间匹配结构均使用损耗较低的电抗结构,以提高功率效率.测试结果表明,该放大器在8～12 GHz频段内,小信号增益>30dB,脉冲饱和输出功率达到22 W,全频段附加效率>51％,9.5 GHz最高效率达到57％.
文献关键词：
GaN;X波段;功率放大器;高效率
中图分类号：
作者姓名：
李文龙;陶洪琪;余旭明
作者机构：
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016
文献出处：
引用格式：
[1]李文龙;陶洪琪;余旭明-.X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC)[J].通信电源技术,2022(09):13-15
A类：
LoadPull
B类：
波段,氮化镓,功率放大器,MMIC,GaN,高电子迁移率晶体管,High,Electron,Mobility,Transistor,HEMT,拓扑电路,电路结构,宽带,管芯,输出效率,功率匹配,级间匹配,电抗,高功率,GHz,小信号,信号增益,30dB,饱和输出功率,功率达,全频段
AB值：
0.426966
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