典型文献
Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC
文献摘要：
研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC).MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率合成,电路输入端和级间采用低通电抗式匹配网络,输出端采用带通电抗式匹配网络,并结合稳定网络实现高效稳定的特性.对所设计的功率放大器MMIC进行了流片验证,芯片面积为4.3 mm×2.9 mm.测试结果表明,在漏极偏置电压为20 V(100μs脉宽、10％占空比),栅极偏置电压为-1.6 V,输入功率为18 dBm的条件下,该款功率放大器MMIC的工作频率为27～33GHz,饱和输出功率大于10 W,功率增益大于22 dB,功率附加效率高达30％.
文献关键词：
功率放大器(PA);高电子迁移率晶体管(HEMT);单片微波集成电路(MMIC);功率合成;奇模抑制
中图分类号：
作者姓名：
杜鹏搏;王瑜;焦雪龙;刘学利;崔朝探;任志鹏;曲韩宾
作者机构：
河北新华北集成电路有限公司,石家庄 050200;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;河北省卫星通信射频技术创新中心,石家庄 050200
文献出处：
引用格式：
[1]杜鹏搏;王瑜;焦雪龙;刘学利;崔朝探;任志鹏;曲韩宾-.Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC)[J].半导体技术,2022(03):231-236
A类：
33GHz,奇模抑制
B类：
Ka,波段,HEMT,功率放大器,MMIC,AlGaN,高电子迁移率晶体管,PA,单片微波集成电路,三级级联,级联放大,末级,功率合成,通电,电抗,匹配网络,输出端,带通,高效稳定,流片,偏置电压,脉宽,占空比,栅极偏置,输入功率,dBm,该款,工作频率,饱和输出功率,功率附加效率
AB值：
0.29291
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