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X波段小型封装GaN功率放大器设计
文献摘要：
基于GaN功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一款X波段小型管壳封装的功率放大器.通过合理排布电路结构,实现了封装尺寸的小型化.由于器件功率密度不断提升,散热问题不容忽视,通过对不同材料的管壳底座进行热仿真分析,模拟芯片的温度分布,根据仿真结果选定底座材料为钼铜Mo70Cu30,利用红外热成像仪测试芯片结温为107.83℃,满足Ⅰ级降额要求.最终设计的功率放大器尺寸为18.03 mm×8.70 mm×3.03 mm,在28 V工作电压脉冲测试条件下,9.3-9.5GHz频带内饱和输出功率大于46dBm,功率附加效率大于36％,功率增益大于24.5 dB,电性能测试结果全部满足技术指标要求.
文献关键词：
GaN功率放大器;小型封装;热仿真分析;电性能测试
中图分类号：
作者姓名：
崔朝探;陈政;杜鹏搏;焦雪龙;曲韩宾
作者机构：
河北新华北集成电路有限公司,石家庄 050200;河北省卫星通信射频技术创新中心,石家庄 050200;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]崔朝探;陈政;杜鹏搏;焦雪龙;曲韩宾-.X波段小型封装GaN功率放大器设计)[J].电子与封装,2022(06):33-38
A类：
小型封装,Mo70Cu30,46dBm
B类：
波段,GaN,功率放大器模块,小型化,型管,管壳,排布,电路结构,功率密度,散热,不同材料,底座,热仿真分析,模拟芯片,温度分布,钼铜,红外热成像仪,芯片结温,降额,工作电压,电压脉冲,脉冲测试,测试条件,5GHz,频带,饱和输出功率,功率附加效率,电性能测试,技术指标,指标要求
AB值：
0.328179
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