典型文献
具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计
文献摘要：
基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5～31GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC).限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比.未单独设计滤波器,而是在LNA的匹配网络中加入滤波支路,且分散置于各级匹配网络中,以减小噪声损耗.LNA为三级级联结构,采用单电源和电流复用结构,以实现较小的电流和功耗.测试结果表明,该MMIC在27.5～31GHz内增益大于21 dB,噪声系数小于3.6 dB,1 dB压缩点输出功率大于5.5 dBm,在17.6～20.6 GHz内带外抑制比小于-50 dBc,可以承受20 W的脉冲输入功率.
文献关键词：
滤波器;限幅器;低噪声放大器(LNA);电流复用技术;单片微波集成电路(MMIC)
中图分类号：
作者姓名：
余巨臣;彭龙新;刘昊;凌志健;贾晨阳;闫俊达;刘飞
作者机构：
南京电子器件研究所,南京 210016
文献出处：
引用格式：
[1]余巨臣;彭龙新;刘昊;凌志健;贾晨阳;闫俊达;刘飞-.具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计)[J].半导体技术,2022(06):493-497
A类：
31GHz,电源和电流,带外抑制比,电流复用技术
B类：
限幅低噪声放大器,一体化设计,GaAs,赝配高电子迁移率晶体管,PHEMT,LNA,单片微波集成电路,MMIC,限幅器,两级,并联结构,微带线,输入输出,插入损耗,电压驻波比,滤波器,匹配网络,支路,散置,三级级联,级联结构,单电源,功耗,噪声系数,输出功率,dBm,dBc,输入功率
AB值：
0.260088
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