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V波段超宽带功率放大器芯片的设计
文献摘要：
介绍了一款V波段超宽带放大器芯片,采用GaAs pHEMT工艺制作.该芯片具有超宽带、高增益、高效率、小尺寸等优点,主要用于射频信号放大.微波在片测试系统对该芯片实际测试结果显示,在50 GHz～66 GHz范围内,小信号增益24 dB～26 dB,1 dB压缩输出功率大于18 dBm,电流小于120 mA,带内输入/输出电压驻波比小于1.4:1,芯片尺寸为3.20 mm×1.40 mm×0.07 mm.
文献关键词：
功率放大器;砷化镓;超宽带;微波单片集成电路
中图分类号：
作者姓名：
徐伟
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]徐伟-.V波段超宽带功率放大器芯片的设计)[J].现代信息科技,2022(04):69-71
A类：
B类：
波段,宽带功率放大器,超宽带放大器,GaAs,pHEMT,工艺制作,高增益,小尺寸,射频信号,信号放大,在片测试,测试系统,实际测试,GHz,小信号,信号增益,输出功率,dBm,mA,输出电压,电压驻波比,芯片尺寸,砷化镓,微波单片集成电路
AB值：
0.372164
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