典型文献
基于GaAs HBT工艺的高增益宽带Doherty功率放大器设计
文献摘要：
在传统Doherty功率放大器的基础上,采用砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了 一款可应用于5G通信N79频段(4.4～5 GHz)的高回退效率MMIC Doherty功率放大器(DPA).通过在Doherty电路中采用共射-共基结构,并在共射-共基结构中加入共基极接地电容,大幅提升了DPA的增益和输出功率.使用集总元件参与匹配,减小了芯片的面积.仿真结果表明,在目标频段内,增益大于28 dB,饱和输出功率约为38 dBm,饱和附加效率(PAE)为63％,7 dB回退处的效率达到43％.
文献关键词：
GaAs HBT;Doherty功率放大器;共射-共基结构;宽带;射频功率放大器
中图分类号：
作者姓名：
武皓岩;李志强;王显泰
作者机构：
中国科学院大学,北京100049;中国科学院微电子研究所,北京100029;北京昂瑞微电子技术有限公司,北京100084
文献出处：
引用格式：
[1]武皓岩;李志强;王显泰-.基于GaAs HBT工艺的高增益宽带Doherty功率放大器设计)[J].微电子学,2022(06):927-930
A类：
N79,共基极
B类：
GaAs,HBT,高增益,宽带,Doherty,砷化镓,异质结双极晶体管,频段,GHz,回退,MMIC,DPA,接地电容,集总元件,饱和输出功率,dBm,PAE,射频功率放大器
AB值：
0.275824
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