典型文献
Ka频段平衡式GaN射频功率放大器芯片
文献摘要：
基于0.15μm GaN赝配高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计研发了一款Ka频段平衡式功率放大器芯片.采用Lange耦合器进行功率合成,放大器使用四级级联放大拓扑结构,同时综合应用三维和平面场仿真技术,提高电路仿真精度.在33～37 GHz频率带宽、24 V偏置以及脉冲波使用条件下,该芯片饱和输出功率大于44 dBm,功率附加效率高于26％.
文献关键词：
Ka频段;射频功率放大器;高功率;单片微波集成电路(MMIC)
中图分类号：
作者姓名：
王海龙;崔亮
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050000
文献出处：
引用格式：
[1]王海龙;崔亮-.Ka频段平衡式GaN射频功率放大器芯片)[J].通信电源技术,2022(10):26-28
A类：
Pseudomorphic
B类：
Ka,频段,平衡式,GaN,射频功率放大器,赝配高电子迁移率晶体管,High,Electron,Mobility,Transistor,PHEMT,设计研发,Lange,耦合器,功率合成,四级,级联放大,拓扑结构,综合应用,仿真技术,电路仿真,仿真精度,GHz,偏置,使用条件,饱和输出功率,dBm,功率附加效率,高功率,单片微波集成电路,MMIC
AB值：
0.419543
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