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基于GaN HEMT F类功率放大电路设计
文献摘要：
本文基于一款商用GaN HEMT功率器件设计了一款工作在2.45GHz的高效F类功率放大器.该电路的设计利用负载牵引—源牵引仿真技术的方法,确定基波的最佳功率和最佳效率阻抗区域.输出匹配网络在功率器件电流源面对二次谐波短路,对三次谐波开路.另外,为该放大器设计了一款时序保护电路,可提供栅极电压-2.7V,漏极电压28V.仿真结果显示,在2.45GHz时,饱和输出功率为44.17dBm,功率附加效率为73.1％,增益14.1dB.可以应用于微波无线能量传输、微波加热等领域.
文献关键词：
负载牵引;GaN HEMT;高效率;F类功率放大器
中图分类号：
作者姓名：
刘多伟;程飞;黄卡玛
作者机构：
四川大学电子信息学院,四川成都,610065
文献出处：
引用格式：
[1]刘多伟;程飞;黄卡玛-.基于GaN HEMT F类功率放大电路设计)[J].电子制作,2022(12):9-12
A类：
17dBm
B类：
GaN,HEMT,功率放大电路,电路设计,商用,功率器件,器件设计,45GHz,功率放大器,设计利用,负载牵引,仿真技术,基波,匹配网络,电流源,二次谐波,短路,三次谐波,开路,保护电路,栅极电压,7V,28V,饱和输出功率,功率附加效率,1dB,微波无线能量传输,微波加热
AB值：
0.416477
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