典型文献
利用探测器光电响应的带尾温变特性研究GaN/AlGaN界面极化电荷
文献摘要：
日盲紫外探测器的抑制比由带尾响应决定,制作欧姆接触的高掺杂浓度p-GaN帽层是导致探测器带尾响应存在的不利因素.利用p-GaN/AlGaN界面极化电荷的调控,可以有效地抑制带尾响应.针对AlGaN吸收分离倍增(SAM)结构日盲雪崩光电二极管(APD)探测器进行了变温响应光谱测试,分析了正照射和背照射时响应光谱的差别,重点对带尾响应在低温下得到有效抑制的情况进行了讨论,认为在只有温变的情况下,异质结极化效应的增强起主导作用.对响应光谱进行了理论仿真计算,根据室温下自发极化及压电极化计算分析,得到了与室温下测试性能较为自洽的结果.基于带尾响应的温变特性,拟合得到极化电荷密度随温度的变化关系,提供了一种在SAM结构中利用响应光谱研究GaN/AlGaN界面极化电荷的新方法.
文献关键词：
AlGaN;日盲;温变;带尾响应;极化效应
中图分类号：
作者姓名：
王雅娴;杨帆;杨富城;刘福浩
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083;上海科技大学信息科学与技术学院,上海 201210;中国科学院大学,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]王雅娴;杨帆;杨富城;刘福浩-.利用探测器光电响应的带尾温变特性研究GaN/AlGaN界面极化电荷)[J].半导体技术,2022(10):781-787
A类：
带尾响应
B类：
光电响应,温变特性,AlGaN,界面极化,极化电荷,日盲紫外探测器,欧姆接触,掺杂浓度,不利因素,吸收分离,倍增,SAM,雪崩光电二极管,APD,变温,下得,异质结,极化效应,强起,理论仿真,仿真计算,下自,自发极化,压电极化,测试性,自洽,电荷密度,变化关系
AB值：
0.291719
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