典型文献
势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
文献摘要：
设计并制备了 AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能.分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1V栅偏压下,峰值漏极电流密度分别达到684 mA/mm和600 mA/mm,峰值跨导分别达到102 mS/mm和167 mS/mm.通过分析随机半径上的峰值跨导分布发现,对于势垒层Al组分呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN异质结构,由于每个AlGaN台阶层都是独立的,并且在外延过程中可以独立控制生长,其外延材料的方块电阻和HFET峰值跨导的相对标准偏差分别低至0.71％和0.7％,优于势垒层Al组分呈线性梯度分布的AlGaN/GaN结构及其HFET,这对后续规模化应用时的工艺控制和均匀性控制提供了便利.AlGaN/GaN台阶梯度异质结构的分层生长模式更有利于每层的独立优化.这种台阶梯度结构有望促进GaN器件在无线通信领域的规模化应用.
文献关键词：
台阶梯度异质结;氮化镓(GaN);异质结场效应晶体管(HFET);均匀性;无线通信
中图分类号：
作者姓名：
房玉龙;张志荣;尹甲运;王波;高楠;芦伟立;陈宏泰;牛晨亮
作者机构：
河北半导体研究所,石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]房玉龙;张志荣;尹甲运;王波;高楠;芦伟立;陈宏泰;牛晨亮-.势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管)[J].微纳电子技术,2022(05):399-403
A类：
HFET,台阶梯度异质结,梯度异质结构
B类：
势垒,AlGaN,结构场,场效应晶体管,结构材料,器件性能,阈值电压,压分,1V,偏压,电流密度,mA,mS,独立控制,其外,方块电阻,相对标准偏差,规模化应用,工艺控制,生长模式,每层,梯度结构,无线通信,通信领域,氮化镓
AB值：
0.204306
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