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GaN基近紫外激光器研究现状与进展
文献摘要：
氮化镓(GaN)基近紫外激光器(UVA LD,320～400 nm)在紫外固化、3D打印以及医疗等领域具有广泛应用.文章首先概述了 GaN基UVA LD的国内外研究现状与关键技术挑战,然后分析了如何从外延生长与结构设计的角度,解决AlGaN的应力调控、高效p型掺杂与量子阱中极化电场的抑制等关键问题,以期为进一步实现高功率、低阈值、长寿命GaN基UVA LD的外延生长提供参考.
文献关键词：
近紫外激光器;氮化镓;应力调控;p型掺杂;极化电场
中图分类号：
作者姓名：
李亚钦;刘建平;田爱琴;李方直;胡磊;李德尧;杨辉
作者机构：
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123
文献出处：
引用格式：
[1]李亚钦;刘建平;田爱琴;李方直;胡磊;李德尧;杨辉-.GaN基近紫外激光器研究现状与进展)[J].半导体光电,2022(03):451-460
A类：
近紫外激光器
B类：
研究现状与进展,氮化镓,UVA,LD,紫外固化,国内外研究现状,技术挑战,外延生长,AlGaN,应力调控,量子阱,极化电场,高功率,低阈值,长寿命
AB值：
0.250661
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