典型文献
基于0.35μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管
文献摘要：
提出了一种基于0.35μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD).APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离(Separate Absorption,Charge and Multiplication,SACM)的结构设计.横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层,并不需要任何工艺修改,这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度.测试结果表明,横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V.在增益M=10和M=50时,暗电流分别约为15 nA和66 nA.有效响应波长范围为450～1050 nm.当反向偏置电压为20 V,即M=1时,峰值响应波长约为775 nm.当单位增益(M=1)时,在532 nm处的响应度约为最大值的一半.
文献关键词：
雪崩光电二极管;横向SACM;高压CMOS工艺;击穿电压
中图分类号：
作者姓名：
鞠国豪;程正喜;陈永平
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院大学,北京100049;上海科技大学信息科学与技术学院,上海201210;南通智能感知研究院,江苏南通226000
文献出处：
引用格式：
[1]鞠国豪;程正喜;陈永平-.基于0.35μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管)[J].红外与毫米波学报,2022(04):668-671
A类：
DNTUB,DPTUB,SPTUB
B类：
CMOS,雪崩光电二极管,Avalanche,Photodiode,APD,横向分布,电荷,荷区,倍增,Separate,Absorption,Charge,Multiplication,SACM,Pi,并不需要,单片集成,集成设计,击穿电压,暗电流,nA,有效响应,偏置电压,响应度
AB值：
0.367878
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