典型文献
GaN基HEMT器件结构设计及其性能仿真
文献摘要：
利用Silvaco TCAD器件模拟软件研究了 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件势垒层的厚度、沟道宽长比和掺杂浓度对器件的转移特性和跨导曲线的影响.结果表明,器件势垒层厚度的变化可以调节器件的电流开关比和开启电压,实现由耗尽型器件向增强型器件的转变;沟道宽长比的改变可以调节器件的开启电压,并且随着沟道宽长比的增加,栅极电压控制量子阱中二维电子气的能力增强;势垒层适量掺杂提高了输出电流,并且使跨导的峰值增大,但过度掺杂会造成器件不易关断情况出现.
文献关键词：
GaN;二维电子气;HEMTs;结构设计
中图分类号：
作者姓名：
刘雨;宋增才;张东
作者机构：
华北水利水电大学物理与电子学院,郑州450046;武汉大学物理科学与技术学院,武汉430072
文献出处：
引用格式：
[1]刘雨;宋增才;张东-.GaN基HEMT器件结构设计及其性能仿真)[J].半导体光电,2022(02):337-340
A类：
B类：
器件结构设计,性能仿真,Silvaco,TCAD,软件研究,AlGaN,高电子迁移率晶体管,势垒,沟道,掺杂浓度,转移特性,导曲线,调节器,开关比,开启电压,耗尽,增强型,栅极电压,电压控制,控制量,量子阱,中二,二维电子气,输出电流,成器,关断,HEMTs
AB值：
0.436837
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