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HEMT器件质子辐射效应仿真
文献摘要：
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景.借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度的影响,并观察空位密度随深度的变化规律.在最优AlGaN势垒层厚度条件下,通过仿真对比5种不同栅氧层材料的MIS-HEMT器件,发现氮化铝(AlN)栅氧层材料具有相对较好的抗辐射效果.
文献关键词：
GaN材料;HEMT器件;MIS-HEMT器件;质子辐射仿真
中图分类号：
作者姓名：
马毛旦;曹艳荣;吕航航;王志恒;任晨;张龙涛;吕玲;郑雪峰;马晓华
作者机构：
西安电子科技大学 机电工程学院,陕西 西安 710071;西安电子科技大学 宽禁带半导体技术国家重点实验室,陕西 西安 710071
文献出处：
引用格式：
[1]马毛旦;曹艳荣;吕航航;王志恒;任晨;张龙涛;吕玲;郑雪峰;马晓华-.HEMT器件质子辐射效应仿真)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(09):922-926,933
A类：
辐射效应仿真,质子辐射仿真
B类：
HEMT,质子辐射效应,高电子迁移率晶体管,耐高温,大功率,抗辐射,核反应堆,辐射环境,SRIM,软件仿真,MeV,AlGaN,势垒,耗尽,空位,位密度,仿真对比,MIS,氮化铝,AlN
AB值：
0.331036
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