典型文献
GaN HEMT微波功率器件的热电子效应及结构优化
文献摘要：
GaN HEMT微波功率器件目前在5G应用中发挥着重要的作用,但是器件热电子效应导致器件的性能退化已经成了应用中的关键影响因素.本文对AlGaN/GaN HEMT器件进行结构建模和电学特性仿真,研究了其在在不同热电子应力时间下,器件电学特性的退化情况,并且提出一种源场板结构,通过降低栅极下方沟道处的电场峰值,有效抑制热电子效应,从而优化器件性能.
文献关键词：
氮化镓;AlGaN/GaN HEMT;热电子效应;源场板结构
中图分类号：
作者姓名：
陆志航;葛明昌;周国友
作者机构：
合肥工业大学,安徽合肥,230000
文献出处：
引用格式：
[1]陆志航;葛明昌;周国友-.GaN HEMT微波功率器件的热电子效应及结构优化)[J].电子元器件与信息技术,2022(07):36-40
A类：
热电子效应,源场板结构
B类：
HEMT,微波功率,功率器件,性能退化,关键影响因素,AlGaN,结构建模,电学特性,种源,栅极,沟道,制热,优化器,器件性能,氮化镓
AB值：
0.196568
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
