典型文献
基于AlGaN/GaN HEMT的340 GHz太赫兹外差探测器和中频放大器集成
文献摘要：
针对具有高输出阻抗的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)太赫兹探测器与商用低噪声放大器阻抗失配、带宽小的问题,采用AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器与AlGaN/GaN HEMT中频放大器的集成方式,搭建了 340 GHz太赫兹外差系统,测试集成芯片的带宽、噪声等效功率(NEP)和噪声系数(NF).结果表明,集成芯片的-3 dB带宽达到15 MHz,5 MHz以上外差系统的NEP为-131.8 dBm/Hz,且放大链路的NF为0.48 dB.未来可通过AlGaN/GaN HEMT太赫兹探测器和AlGaN/GaN HEMT中频(IF)放大器的单片集成来减小寄生电容,同时优化太赫兹探测器结构,提升AlGaN/GaN HEMT太赫兹单片集成芯片带宽至GHz,推动AlGaN/GaN HEMT太赫兹单片阵列集成探测器发展.
文献关键词：
氮化镓(GaN);太赫兹探测器;高电子迁移率晶体管(HEMT);中频(IF)放大器;外差;噪声等效功率(NEP)
中图分类号：
作者姓名：
范飞;丁青峰;张金峰;程凯;孙建东;秦华
作者机构：
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥 230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州 215123;江苏省纳米器件重点实验室,江苏苏州 215123;上海科技大学物质科学与技术学院,上海 201210;苏州晶湛半导体有限公司,江苏苏州 215000
文献出处：
引用格式：
[1]范飞;丁青峰;张金峰;程凯;孙建东;秦华-.基于AlGaN/GaN HEMT的340 GHz太赫兹外差探测器和中频放大器集成)[J].微纳电子技术,2022(09):846-852
A类：
B类：
AlGaN,HEMT,GHz,外差探测,中频,高输出阻抗,高电子迁移率晶体管,太赫兹探测器,商用,低噪声放大器,阻抗失配,集成方式,测试集,集成芯片,NEP,噪声系数,MHz,dBm,链路,IF,单片集成,寄生电容,同时优化,集成探测,氮化镓
AB值：
0.188775
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