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In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管单光子探测器的温度特性研究
文献摘要：
In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管单光子探测器(SPAD)的响应覆盖短波950～1 700 nm,具有体积小、灵敏度高等特点,在量子通信、激光测距、激光雷达等应用有广泛前景.工作温度是影响In0.53Ga0.47As SPAD性能的重要因素,温度越高暗计数率越大,导致器件的噪声也越大.研究器件温度特性是实现暗计数抑制的重要途径.建立了数学模型来提取器件光电性能参数,通过分析吸收层、倍增层中载流子对温度的影响,获得最优器件结构参数.最后,制作了光敏面直径达到70μm的In0.53Ga0.47As SPAD芯片,并进行了封装测试.结果显示,70μm In0.53Ga0.47As SPAD在室温下的探测效率为14.2％,暗计数率为88.6 kHz,噪声等效功率为3.82×10-16 W·Hz-1/2,仿真结果与测试结果的拟合曲线一致.
文献关键词：
InGaAs SPAD;温度特性;短波红外探测器;激光雷达
中图分类号：
作者姓名：
敖天宏;赵江林;童启夏;柳聪;崔大健;张承
作者机构：
重庆光电技术研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]敖天宏;赵江林;童启夏;柳聪;崔大健;张承-.In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管单光子探测器的温度特性研究)[J].半导体光电,2022(04):765-769
A类：
53Ga0,47As
B类：
In0,雪崩光电二极管,单光子探测器,温度特性,SPAD,体积小,灵敏度高,量子通信,激光测距,激光雷达,工作温度,暗计,计数率,光电性能,电性能参数,倍增,载流子,器件结构,光敏,封装测试,探测效率,kHz,拟合曲线,InGaAs,短波红外探测器
AB值：
0.242266
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