典型文献
AlGaN/GaN HEMT器件的光电特性研究
文献摘要：
本文采用Silvaco TCAD软件在海威华芯0.25 μm AlGaN/GaN HEMT工艺和设计规则下建立了AlGaN/GaN HEMT的二维仿真模型,对AlGaN/GaN HEMT器件在有/无光照条件下进行了击穿特性的仿真和研究,结果表明器件的光电流可以达到暗电流的4000倍以上;采用脉冲响应法对AlGaN/GaN HEMT器件进行了光电响应速度的仿真,结果表明该器件可实现580Hz光脉冲到电脉冲的转换.因此,本文研究的常规非光电工艺AlGaN/GaN HEMT器件可以用来制作具有内部增益的雪崩型紫外光电探测器.
文献关键词：
AlGaN/GaN HEMT;光电特性;雪崩倍增;光电探测器
中图分类号：
作者姓名：
葛明昌;周国友;陆志航
作者机构：
合肥工业大学,安徽合肥,230009
文献出处：
引用格式：
[1]葛明昌;周国友;陆志航-.AlGaN/GaN HEMT器件的光电特性研究)[J].电子元器件与信息技术,2022(07):23-26,40
A类：
580Hz
B类：
AlGaN,HEMT,光电特性,Silvaco,TCAD,设计规则,二维仿真,无光,光照条件,击穿特性,明器,光电流,暗电流,脉冲响应,光电响应,响应速度,光脉冲,冲到,电脉冲,紫外光电探测器,雪崩倍增
AB值：
0.320628
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