典型文献
ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结电子输运性质研究
文献摘要：
Ga2 O3是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景.前期研究以β-Ga2 O3为主,并且已经对β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3异质结构中的二维电子气(2DEG)进行了理论计算,本文主要研究ε-(AlxGa1-x)2O3作为势垒层对ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结电子输运性质的影响,首先介绍了ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结的结构和性质,分析计算了由于ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结的自发极化和压电极化所产生的极化面电荷密度,以及极化对2DEG浓度产生的影响,接着分析了在不同Al摩尔组分下,ε-(AlxGa1-x)2O3势垒层厚度与合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射之间的关系.最后通过计算得出结论:界面粗糙度散射和极性光学声子散射对ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结的电子输运性质有重要影响,合金无序散射对异质结的输运性质影响较小;2DEG浓度、合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射的电子迁移率强弱由ε-(AlxGa1-x)2O3势垒层的厚度和Al摩尔组分共同决定.
文献关键词：
2DEG浓度;电子迁移率;ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结;合金无序散射;界面粗糙度散射;极性光学声子散射
中图分类号：
作者姓名：
白雅楠;吕燕伍
作者机构：
北京交通大学理学院,北京 100044
文献出处：
引用格式：
[1]白雅楠;吕燕伍-.ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结电子输运性质研究)[J].人工晶体学报,2022(03):441-449
A类：
合金无序散射,界面粗糙度散射,极性光学声子散射
B类：
AlxGa1,Ga2O3,电子输运性质,宽带,带隙,电子系统,前期研究,异质结构,二维电子气,2DEG,势垒,自发极化,压电极化,电荷密度,摩尔,电子迁移率
AB值：
0.113589
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
