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重复短路应力下p-GaN HEMT器件的阈值电压退化机制
文献摘要：
p-GaNHEMT凭借高频、高功率密度的优势,已逐渐应用于高频电源领域.负载短路、错误的栅控信号等因素均会导致器件处于严重的短路状态.目前,研究重点多聚焦于600 V/650V商用器件的最终失效上,缺乏对器件在短路应力下的退化机理研究.通过重复短路应力研究了 100 V商用p-GaNHEMT的短路稳健性,随着应力次数的增加,器件的阈值电压VTH表现出持续正向漂移且漂移量可达+0.65V,漏极电流IDsat持续下降.此外,还研究了短路应力后器件的动态恢复过程.在较弱的短路应力后,由于AlGaN势垒层内的陷阱和p-GaN/AlGaN界面陷阱释放掉被捕获的电子,VTH和IDsat能够完全恢复;而在苛刻的短路应力后,栅下产生的热电子将轰击p-GaN/AlGaN界面从而诱导出新的界面缺陷,这将导致VTH永久性的正向漂移,最终使得IDsat不可恢复.
文献关键词：
100Vp-GaNHEMT;短路;阈值电压;陷阱;热电子
中图分类号：
作者姓名：
伍振;周琦;潘超武;杨宁;张波
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
文献出处：
引用格式：
[1]伍振;周琦;潘超武;杨宁;张波-.重复短路应力下p-GaN HEMT器件的阈值电压退化机制)[J].电子与封装,2022(06):69-76
A类：
GaNHEMT,650V,65V,IDsat,100Vp
B类：
阈值电压,退化机制,高功率密度,高频电源,源领域,负载短路,栅控,多聚焦,商用,用器,退化机理,VTH,漂移量,+0,恢复过程,AlGaN,势垒,界面陷阱,放掉,被捕,完全恢复,苛刻,热电子,轰击,界面缺陷,永久性,终使
AB值：
0.318974
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