典型文献
薄吸收区AlGaN肖特基日盲探测器在不同金属接触下的表现及机理分析
文献摘要:
针对具备100~200 nm薄吸收区的肖特基型探测器,研究了不同金属接触对其暗电流和光谱响应特性的影响.以GaN基材料为主体,在薄层Al0.42 Ga0.58 N表面分别制备Au和Ni/Au形成肖特基接触,在Al0.55Ga0.45N表面以Ti/Al/Ti/Au制备欧姆接触,从而制备薄吸收区的AlGaN肖特基日盲探测器.结果表明对AlGaN材料,Au肖特基型探测器的光响应良好,达到0.10 A/W,外量子效率峰值为47%,但暗电流稍大,为3.91×10-10 A/cm2.而Ni/Au肖特基型探测器的暗电流稳定,普遍在4.17×10-11 A/cm2,而响应率一般,为0.07 A/W,外量子效率为33%.测试结果与仿真模型基本一致,对正照式,受势垒高度和界面损耗层等因素影响,相较Ni/Au肖特基型探测器,Au肖特基型探测器的响应范围更大、响应率更高;对背照式,吸收层的厚度对响应范围有很大影响,薄吸收区有效展宽了响应区域.
文献关键词:
AlGaN;肖特基;接触金属;薄吸收区
中图分类号:
作者姓名:
胡乐枫;张燕
作者机构:
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;中国科学院大学,北京100049
文献出处:
引用格式:
[1]胡乐枫;张燕-.薄吸收区AlGaN肖特基日盲探测器在不同金属接触下的表现及机理分析)[J].半导体光电,2022(03):510-516
A类:
薄吸收区,55Ga0
B类:
AlGaN,日盲,探测器,金属接触,机理分析,基型,暗电流,光谱响应特性,基材,薄层,Al0,Au,肖特基接触,45N,Ti,欧姆接触,光响应,外量子效率,响应率,势垒高度,响应范围,展宽,接触金属
AB值:
0.242514
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