典型文献
Al2O3/HfO2复合薄膜的介电性能研究
文献摘要：
采用ALD技术生长了超晶格结构Al2O3/HfO2纳米叠层复合薄膜,并研究了复合薄膜的单层厚度、 层厚比对其综合介电性能的影响规律.结果表明,降低复合薄膜的单层厚度可以有效提高综合介电性能,原因是降低单层厚度可有效增强界面极化效应,提高介电常数;而降低复合薄膜的单层厚度可以降低其结晶度,从而有效提高击穿场强和降低漏电流密度;复合薄膜的介电常数随着Al2 O3:HfO2层厚比的降低而提高,这主要是因为HfO2介电常数较高;但漏电流密度增大和击穿场强降低,这主要因为HfO2结晶度较高造成的.进一步采用有限元模型模拟计算了复合薄膜的单层厚度、组分比例与介电常数的变化关系,其计算结果与实验结果基本一致;并采用第一性原理计算,证明了Al2 O3/HfO2界面存在内建电场,增强了介质材料在电场作用下的极化效应,界面极化是提高复合薄膜介电常数的主要原因.
文献关键词：
超晶格结构;纳米叠层复合薄膜;介电常数;有限元方法;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
牟舜禹;李瑞江;李少奎;熊文;林广
作者机构：
成都宏科电子科技有限公司, 四川 成都 610100
文献出处：
引用格式：
[1]牟舜禹;李瑞江;李少奎;熊文;林广-.Al2O3/HfO2复合薄膜的介电性能研究)[J].电子元件与材料,2022(11):1251-1257
A类：
纳米叠层复合薄膜
B类：
Al2O3,HfO2,介电性能,ALD,超晶格结构,单层厚度,层厚比,界面极化,极化效应,介电常数,结晶度,击穿场强,漏电流密度,模型模拟,组分比例,变化关系,第一性原理计算,内建电场,介质材料,电场作用,有限元方法
AB值：
0.18023
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