典型文献
栅下双异质结增强型AlGaN/GaN HEMT
文献摘要：
为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).使用双异质结电荷控制模型分析了基本机理,推导了阈值电压表达式.仿真结果表明,器件阈值电压与调制层Al组分呈线性关系.当调制层Al组分小于势垒层时,阈值电压增大,反之减小.调制层厚度可加大这种调制作用.当调制层Al组分为0％、厚度为112 nm时,器件具有2.13 V的阈值电压和1.66 mΩ·cm2的比导通电阻.相对于常规凹槽栅结构,新结构的阈值电压提高了 173％.
文献关键词：
增强型;高电子迁移率晶体管;阈值电压;双异质结;电荷控制模型
中图分类号：
作者姓名：
陈飞;冯全源;杨红锦;文彦
作者机构：
西南交通大学微电子研究所,成都611756
文献出处：
引用格式：
[1]陈飞;冯全源;杨红锦;文彦-.栅下双异质结增强型AlGaN/GaN HEMT)[J].微电子学,2022(01):132-138
A类：
电荷控制模型
B类：
双异质结,增强型,AlGaN,HEMT,阈值电压,高电子迁移率晶体管,本机,电压表,势垒,反之,比导通电阻,凹槽,新结构
AB值：
0.193574
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