典型文献
一种25 Gbit/s背入射高速InAlAs雪崩光电二极管
文献摘要：
设计并制备了一种面向25Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(SAGCM)结构,通过刻蚀工艺形成三层台面,将电场限制在最大台面倍增层的中心,有效降低了台面边缘击穿风险.器件采用倒装焊结构,背面集成微透镜,以提高光耦合孔径.研制的APD芯片在增益M=1时,对1 310 nm波长光的响应度为0.84 A/W;在M=10时,3 dB带宽达到19 GHz;增益带宽积为180 GHz;在5×10-5误码率下最佳灵敏度为-22.3 dBm,可支持100GBASE-ER4通信标准.
文献关键词：
25 Gbit/s;雪崩光电二极管;InAlAs;SAGCM;微透镜;100GBASE-ER4
中图分类号：
作者姓名：
黄晓峰;陈伟;董绪丰;敖天宏;王立;唐艳;张圆圆;罗鸣
作者机构：
重庆光电技术研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]黄晓峰;陈伟;董绪丰;敖天宏;王立;唐艳;张圆圆;罗鸣-.一种25 Gbit/s背入射高速InAlAs雪崩光电二极管)[J].半导体光电,2022(01):122-125
A类：
25Gbit,SAGCM,100GBASE,ER4
B类：
入射,InAlAs,雪崩光电二极管,长距离传输,背面,APD,台面,面吸收,电荷,倍增,刻蚀工艺,击穿,倒装焊,微透镜,光耦合,耦合孔,响应度,GHz,增益带宽积,误码率,dBm,通信标准
AB值：
0.292072
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