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AlGaN紫外探测器及其焦平面阵列技术研究进展
文献摘要：
AlGaN紫外探测器及其焦平面阵列具有本征可见光盲特性,并可实现无需滤光片的日盲探测,且为全固态器件,是紫外探测技术的一个重要发展方向.文章介绍了 AlGaN紫外探测器与焦平面阵列的研究现状及其存在的问题.在此基础上,分析了 AlGaN雪崩光电二极管(APD)发展的基本条件,并介绍了 AlGaN APD的发展现状及趋势.
文献关键词：
AlGaN;日盲紫外;焦平面阵列;外延生长;p型掺杂
中图分类号：
作者姓名：
王颖;王振
作者机构：
中电科技集团重庆声光电有限公司,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]王颖;王振-.AlGaN紫外探测器及其焦平面阵列技术研究进展)[J].半导体光电,2022(03):430-437
A类：
B类：
AlGaN,紫外探测器,焦平面阵列,可见光盲,滤光片,全固态,探测技术,雪崩光电二极管,APD,基本条件,发展现状及趋势,日盲紫外,外延生长
AB值：
0.201561
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