典型文献
增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展
文献摘要：
考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求,增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著.目前有许多方法可以实现增强型GaN HEMT器件,如使用p型栅技术、凹栅结构、共源共栅(Cascode)结构、氟离子处理法、薄势垒AlGaN层以及它们的改进结构等.分别对使用以上方法制备的增强型GaN HEMT器件进行了综述,并对增强型GaN HEMT器件的最新研究进展进行了总结,探索未来增强型GaN HEMT器件的发展方向.
文献关键词：
GaN HEMT器件;凹栅结构;p-GaN;薄势垒
中图分类号：
作者姓名：
穆昌根;党睿;袁鹏;陈大正
作者机构：
西安电子科技大学微电子学院,西安 710071;西安航天精密机电研究所,西安 710100
文献出处：
引用格式：
[1]穆昌根;党睿;袁鹏;陈大正-.增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展)[J].电子与封装,2022(10):66-75
A类：
凹栅结构,薄势垒
B类：
增强型,HEMT,实现方法,设计成本,高电子迁移率晶体管,耗尽,多方法,共源共栅,Cascode,氟离子,AlGaN,最新研究进展
AB值：
0.221643
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