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GaN HEMT器件寿命预测方法及理论研究
文献摘要：
GaN HEMT器件以其优良的性能被广泛应用于各种领域的电子设备中.由于其经常被用于高频、高温和高辐射的环境中,过高的环境应力会加速器件的损伤.当损伤达到一定程度时,就会引起器件失效,甚至导致整个系统失效.因此外加应力下GaN HEMT器件的寿命成为了当前研究的热点.基于不同机构对GaN HEMT器件的三温度直流测试结果,运用多元线性回归法和图估计法对GaN HEMT器件在正常使用温度下的寿命进行预测.预测结果表明,GaN HEMT器件在正常使用时,器件沟道温度为150℃的情况下,中位寿命长于107 h;在累积失效概率达23%时,3.6 mm栅宽器件与1.25 mm栅宽器件的正常工作时间均为5.04×105 h;当累积失效概率在23%以上时,1.25 mm栅宽器件的寿命明显较3.6 mm栅宽器件长.
文献关键词：
GaN HEMT;可靠性;寿命预测
中图分类号：
作者姓名：
王保柱;赵晋源;苏雪平;张明;杨琳;侯卫民
作者机构：
河北科技大学信息科学与工程学院,河北 石家庄050018
文献出处：
引用格式：
[1]王保柱;赵晋源;苏雪平;张明;杨琳;侯卫民-.GaN HEMT器件寿命预测方法及理论研究)[J].电子器件,2022(03):538-544
A类：
B类：
GaN,HEMT,寿命预测方法,电子设备,环境应力,加速器,外加,多元线性回归法,使用温度,沟道温度,寿命长,失效概率,工作时间
AB值：
0.241112
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