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GaN HEMT光滑动态模型的建模与验证
文献摘要：
阐述氮化镓高电子迁移率晶体管的一种光滑行为模型,以连续光滑的曲线来描述晶体管的动态特性,使用GetData提取曲线图数据,使用MATLAB中的Curve Fitting Tool对方程拟合提取参数,使用Simulink对模型进行验证,最终获得较为准确的晶体管模型.对比其他种类的模型,提出的光滑行为模型具有等效电路简洁、拟合参数数量较少等优势.
文献关键词：
氮化镓;GaN HEMT;光滑行为模型;二维电子气;Matlab;Simulink
中图分类号：
作者姓名：
董旭冉
作者机构：
江南大学,江苏 214122
文献出处：
引用格式：
[1]董旭冉-.GaN HEMT光滑动态模型的建模与验证)[J].集成电路应用,2022(08):12-13
A类：
光滑行为模型,GetData
B类：
GaN,HEMT,动态模型,氮化镓高电子迁移率晶体管,动态特性,曲线图,图数据,Curve,Fitting,Tool,方程拟合,提取参数,Simulink,等效电路,拟合参数,数数,二维电子气,Matlab
AB值：
0.315174
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