典型文献
GaN技术发展新趋势
文献摘要：
氮化镓(GaN)是第三代半导体的典型代表,受到学术界和产业界的广泛关注,正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一.对于射频(RF)GaN技术,在电信和国防两大主要应用增长行业,尤其是军用领域对先进雷达和通信系统不断增加的需求,推动了RF GaN器件向更高频率、更大功率和更高可靠性发展.文章梳理了在该领域中GaN RF/微波HEMT、毫米波晶体管和单片微波集成电路(MMIC)、GaN器件空间应用可靠性和抗辐射加固等技术发展的脉络.在功率电子方面,对高效、绿色和智能化能源的需求拉动GaN功率电子、电源变换器向快速充电、高效和小型化方向发展.简述了应用于纯电动与混合动力电动汽车(EV/HEV)、工业制造、电信基础设施等场合的GaN功率器件的研发进展和商用情况.在数字计算特别是量子计算前沿,GaN是具有应用前景的技术之一.介绍了 GaN计算和低温电子技术研究的几个亮点.总而言之,对GaN技术发展几大领域发展的最新趋势作了概括性描述,勾画出技术发展的粗略线条.
文献关键词：
GaN;射频GaN;GaN功率器件;数字电子的GaN;GaN量子计算
中图分类号：
作者姓名：
单月晖;连潞文;高媛;赖凡
作者机构：
军委装备发展部某中心,北京100034;中国人民解放军海军八○七厂,北京102401;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]单月晖;连潞文;高媛;赖凡-.GaN技术发展新趋势)[J].微电子学,2022(04):614-622
A类：
超越摩尔定律
B类：
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AB值：
0.375238
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