典型文献
小型化L波段1 000 W GaN内匹配功率管研制
文献摘要：
L波段功率单管有增大功率的需求,但会面临体积较大的问题.基于0.5 μm工艺研发了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,单芯功率达到300 W.通过负载牵引仿真提取模型的输入、输出最佳阻抗点.用高介电常数薄膜电路设计L-C网络,拉高芯片的输入输出阻抗,并抵消虚部.用微带电路设计两级阻抗变换的宽带功率分配器及合路器电路,进行四胞管芯合成.内置稳定电路、栅极和漏极供电偏置电路,实现高度集成化、小型化,以及50Ω输入输出阻抗匹配.芯片总栅宽4×40 mm,在漏压50 V、脉宽40μs、占空比4％的测试条件下,在0.96 GHz到1.225 GHz的宽带频段内,输出功率为60 dBm到61.2 dBm,效率为57.9％到72％,饱和功率增益大于14 dB.
文献关键词：
L波段;内匹配;氮化镓;高电子迁移率晶体管
中图分类号：
作者姓名：
刘坤
作者机构：
合肥芯谷微电子股份有限公司,合肥230011
文献出处：
引用格式：
[1]刘坤-.小型化L波段1 000 W GaN内匹配功率管研制)[J].微电子学,2022(06):1050-1054
A类：
薄膜电路
B类：
小型化,波段,GaN,内匹配,功率管,单管,管有,大功率,会面,高电子迁移率晶体管,HEMT,管芯,功率达,负载牵引,提取模型,介电常数,电路设计,拉高,输入输出,输出阻抗,抵消,微带,带电,两级,阻抗变换,宽带,功率分配器,合路器,内置,栅极,偏置电路,高度集成,集成化,阻抗匹配,脉宽,占空比,测试条件,GHz,频段,输出功率,dBm,氮化镓
AB值：
0.472419
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
