典型文献
AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展
文献摘要：
氮化镓(GaN)基异质结材料以其宽禁带、耐高温、高击穿电压以及优异的抗辐射性能成为航天领域半导体材料的研究和应用热点.而基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因其制备过程带来的缺陷和损伤,性能将受到空间辐射的严峻挑战.文章对空间辐射环境下AlGaN/GaN HEMT的辐射机理和效应进行梳理;针对低中地球轨道以质子为主的辐射环境,对不同能量和注量的质子辐照对AlGaN/GaN HEMT的效应进行系统分析.鉴于从压电极化角度分析AlGaN/GaN HEMT的质子辐射效应存在欠缺,且不同能量和注量的质子辐照对器件的影响不同,提出后续应开展AlGaN/GaN HEMT辐射损伤机制、不同轨道辐射环境模拟以及质子辐照对AlGaN/GaN HEMT宏观特性影响研究.
文献关键词：
氮化镓;高电子迁移率晶体管;质子辐照;位移损伤;压电极化
中图分类号：
作者姓名：
季启政;刘峻;杨铭;胡小锋;万发雨;刘尚合
作者机构：
中国人民解放军陆军工程大学 电磁环境效应重点实验室,石家庄 050003;北京卫星环境工程研究所,北京 100094;南京信息工程大学 电子与信息工程学院,南京 210044;北京东方计量测试研究所,北京 100086
文献出处：
引用格式：
[1]季启政;刘峻;杨铭;胡小锋;万发雨;刘尚合-.AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展)[J].航天器环境工程,2022(04):436-445
A类：
B类：
AlGaN,HEMT,质子辐射效应,氮化镓,异质结材料,禁带,耐高温,击穿电压,抗辐射性,辐射性能,航天领域,半导体材料,研究和应用,高电子迁移率晶体管,制备过程,空间辐射环境,质子辐照,压电极化,极化角度,辐射损伤,损伤机制,环境模拟,宏观特性,位移损伤
AB值：
0.247598
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