典型文献
基于峰值谱技术的GaN基微波功率器件陷阱表征方法
文献摘要：
GaN基微波功率器件在高电场影响下产生了界面缺陷和陷阱效应,加剧了器件有源区材料的损伤,是造成其在高频、大功率应用下电学参数退化的重要因素.提出了一种基于贝叶斯迭代的时间常数谱的提取方法,通过采集器件漏源电流瞬态响应曲线,精确提取陷阱俘获、释放电子的时间常数.利用阿伦尼乌斯方程计算陷阱和缺陷的激活能,并通过施加不同的电偏置实现了器件纵向结构各材料层中陷阱和缺陷的特性表征.通过实验表征了处于GaN缓冲层和AlGaN势垒层的陷阱特性,发现存在3个不同作用时间常数的陷阱,一个位于AlGaN势垒层,陷阱激活能为0.6 eV;另一个位于GaN缓冲层,陷阱激活能为0.46 eV;第三个位于AlGaN势垒层,陷阱作用的时间常数与温度无关.
文献关键词：
GaN基HEMT;陷阱表征;瞬态电流法;时间常数谱;贝叶斯迭代
中图分类号：
作者姓名：
张娇;张亚民;冯士维
作者机构：
北京工业大学微电子学院,北京 100124
文献出处：
引用格式：
[1]张娇;张亚民;冯士维-.基于峰值谱技术的GaN基微波功率器件陷阱表征方法)[J].半导体技术,2022(04):274-280
A类：
陷阱表征,贝叶斯迭代,时间常数谱,瞬态电流法
B类：
微波功率,功率器件,表征方法,界面缺陷,陷阱效应,有源,源区,大功率应用,电学参数,参数退化,采集器,瞬态响应,响应曲线,俘获,阿伦尼乌斯方程,激活能,偏置,纵向结构,实验表征,缓冲层,AlGaN,势垒,作用时间,个位,eV,第三个,HEMT
AB值：
0.279923
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