典型文献
用热反射热成像技术测量封装GaN/AlGaN HEMT芯片热阻
文献摘要：
为解决封装GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的芯片热阻难以测量的问题,提出了采用热反射热成像测温装置测量芯片热阻的方法.采用365 nm波长紫外发光二极管(LED)作为测温装置的光源测量芯片沟道区域GaN材料的温度,以近似峰值结温;采用530 nm波长可见光LED作为光源测量芯片底面金属的温度.测温过程中,采用图像配准技术和自动重聚焦技术调整由于热膨胀引起的位置偏移和离焦.对芯片底面金属测温结果进行了误差分析.最后,在4个加热功率下测量了芯片热阻,测量结果显示芯片热阻与总热阻之比超过52％.
文献关键词：
GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT);热反射;沟道;结温;热阻
中图分类号：
作者姓名：
翟玉卫;张亚民;刘岩;韩志国;丁晨;吴爱华
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;北京工业大学信息学部新型半导体器件及可靠性研究室,北京 100124
文献出处：
引用格式：
[1]翟玉卫;张亚民;刘岩;韩志国;丁晨;吴爱华-.用热反射热成像技术测量封装GaN/AlGaN HEMT芯片热阻)[J].半导体技术,2022(11):921-925
A类：
B类：
热反射,热成像技术,封装,AlGaN,HEMT,高电子迁移率晶体管,阻难,成像测温,测温装置,紫外发光二极管,LED,光源,沟道,以近,结温,可见光,底面,图像配准,重聚,热膨胀,位置偏移,离焦,误差分析,加热功率,总热阻,之比
AB值：
0.325645
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