典型文献
60Co γ射线对增强型GaN HEMT直流特性的影响
文献摘要：
利用60Co γ射线对P型栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)开展零偏置状态下总剂量辐射试验及常温退火试验,测试GaNHEMT直流特性参数对总剂量效应(TID)的响应规律.试验结果表明,γ射线辐照后器件阈值电压、跨导峰值和饱和漏极电流发生不同程度的退化,而栅泄露电流和导通电阻变化甚微.在剂量为0.6Mrad(Si)的条件下,经过120h的退火试验,器件阈值电压未发生明显的恢复,跨导峰值反而有轻微退化的趋势.从试验数据可知,器件直流特性退化主要是由于辐照引起二维电子气(2DEG)浓度下降,载流子迁移率降低,感生界面态陷阱导致.研究结果对GaNHEMT器件宇航应用可靠性的评估给予了有益参考.
文献关键词：
增强型GaNHEMT;60Co γ射线辐照;直流特性测试;退火测试
中图分类号：
作者姓名：
邱一武;吴伟林;颜元凯;周昕杰;黄伟
作者机构：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡 214072;复旦大学微电子学院,上海 200443
文献出处：
引用格式：
[1]邱一武;吴伟林;颜元凯;周昕杰;黄伟-.60Co γ射线对增强型GaN HEMT直流特性的影响)[J].电子与封装,2022(07):44-48
A类：
GaNHEMT,6Mrad,退火测试
B类：
60Co,增强型,氮化镓高电子迁移率晶体管,零偏,偏置,总剂量辐射,辐射试验,特性参数,总剂量效应,TID,响应规律,辐照,阈值电压,泄露电流,导通电阻,甚微,Si,120h,二维电子气,2DEG,载流子迁移率,感生,界面态,陷阱,宇航应用,直流特性测试
AB值：
0.352945
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
