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自热效应下P-GaN HEMT的阈值漂移机理
文献摘要：
随着GaN功率应用朝着更高集成度与更高功率密度的方向发展,器件的自热效应及可靠性问题将变得更加严重.提出了一种开态漏极电流注入技术,模拟器件自热状态用以研究100VP-GaN HEMT器件在自热效应下的可靠性问题.研究结果表明,应力中器件自热温度可达40～150℃,阈值电压在应力后发生0.2～0.8 V的显著正向漂移.进一步通过室温与高温下的器件恢复研究以及电热仿真分析,证明了栅下区域与栅漏接入区域的高温极值点增强了该区域的受主型电子陷阱俘获行为并改变了栅极处载流子输运,这是导致P-GaN HEMT在自热效应下阈值电压不稳定性的主要原因,并建立了相对应的物理机理模型.
文献关键词：
P-GaN HEMT;自热效应;阈值漂移;机理模型
中图分类号：
作者姓名：
匡维哲;周琦;陈佳瑞;杨凯;张波
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
文献出处：
引用格式：
[1]匡维哲;周琦;陈佳瑞;杨凯;张波-.自热效应下P-GaN HEMT的阈值漂移机理)[J].电子与封装,2022(08):64-69
A类：
阈值漂移,100VP
B类：
自热效应,GaN,HEMT,高集成度,高功率密度,电流注入,模拟器,热状态,阈值电压,电热仿真,热仿真分析,下区,漏接,极值点,陷阱,俘获,栅极,极处,载流子,输运,电压不稳定,物理机理模型
AB值：
0.295181
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