典型文献
GaN HEMT小信号等效电路模型的关键参数提取
文献摘要：
为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法.在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种更加完整的20单元等效电路模型.提出在无偏、Cold pich-off条件下获取寄生参数的方法,克服了传统的高珊正向偏压导致的栅极退化.基于双端口网络分析建立Y参数模型,提取本征元件参数,确保其结果在不同偏压下良好的平滑度,便于移植CAD商业工程应用中.在0～18 GHz频率范围内,ADS2014仿真工具的仿真数据与测试数据良好的一致性表明了所建模型及其参数提取技术的有效性.
文献关键词：
GaN高电子迁移率晶体管;小信号等效电路;参数提取;ADS2014仿真
中图分类号：
作者姓名：
王旭;王军
作者机构：
西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010
文献出处：
引用格式：
[1]王旭;王军-.GaN HEMT小信号等效电路模型的关键参数提取)[J].传感器与微系统,2022(08):64-67
A类：
pich,高珊,ADS2014
B类：
GaN,HEMT,小信号等效电路,等效电路模型,高电子迁移率晶体管,物理特性,电路建模,提取技术,小信号模型,模型参数提取,参数提取方法,单元模型,器件结构,加完,无偏,Cold,off,寄生参数,偏压,栅极,双端口,参数模型,CAD,GHz,仿真工具,仿真数据,测试数据
AB值：
0.291372
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