典型文献
一种S波段E类GaN HEMT功率放大器设计
文献摘要：
并联电路E类功率放大器(PA)具有结构简单和高效的优点,因而被广泛应用.针对并联电路E类PA存在带宽较窄、效率较低的问题,对其输出匹配网络提出了一种改进方案.采用混合式π型结构作为PA的输出匹配网络,在较宽的工作带宽内完成了最佳阻抗与标准阻抗的转换,有效地抑制了二次谐波分量,提高了电路的效率.为了验证所提出理论的有效性,基于0.25μm GaN HEMT工艺设计了一种结构简单、高效率和高功率的单片集成E类功率放大器.版图后仿真结果表明,在2.5～3.7 GHz工作频率范围内,输出功率大于40 dBm,功率附加效率为51.8％～63.1％.版图尺寸为2.4 mm×2.9 mm.
文献关键词：
宽带匹配网络;E类;高效率;功率放大器
中图分类号：
作者姓名：
王德勇;张盼盼;张金灿;刘敏;刘博;孙立功
作者机构：
河南科技大学电气工程学院,河南洛阳471023
文献出处：
引用格式：
[1]王德勇;张盼盼;张金灿;刘敏;刘博;孙立功-.一种S波段E类GaN HEMT功率放大器设计)[J].微电子学,2022(01):28-32,37
A类：
宽带匹配网络
B类：
波段,GaN,HEMT,功率放大器,并联电路,PA,结构简单,较窄,改进方案,工作带宽,二次谐波,谐波分量,工艺设计,高功率,单片集成,版图,GHz,工作频率,输出功率,dBm,功率附加效率
AB值：
0.30642
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