典型文献
应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计
文献摘要：
对于航天发射系统中的地面支持设备与特种重型车辆,锂电池组等新兴供电单元的应用使得车辆母线电压不断提高.这种电压提升在提高电池组充放电速度的同时,也对辅助电源的输入电压范围提出了更宽的要求.同时,为了提高电源开关频率与设备效率,将氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)器件引入到LLC变换器设计中.为有效解决GaN HEMT耐压带来的应用限制,使用堆叠半桥三电平拓扑实现器件分压.通过PSIM进行仿真验证,证明该拓扑的设计有效性.最终制作2 kW的实物样机,实现400～800 V电压输入与25～40 V电压输出,峰值功率达到93.89%.
文献关键词：
氮化镓高电子迁移率晶体管;堆叠半桥;LLC;宽电压输入
中图分类号：
作者姓名：
林润韬;王建军;赵晶;万志华
作者机构：
中国运载火箭技术研究院北京航天发射技术研究所,北京 100076
文献出处：
引用格式：
[1]林润韬;王建军;赵晶;万志华-.应用GaN HEMT的宽输入堆叠半桥LLC变换器设计)[J].电源学报,2022(05):75-83
A类：
堆叠半桥
B类：
GaN,HEMT,宽输入,LLC,变换器设计,航天发射,发射系统,特种,重型车辆,锂电池组,母线电压,充放电,辅助电源,输入电压,电源开关,开关频率,氮化镓高电子迁移率晶体管,gallium,nitride,high,electron,mobility,transistor,耐压,压带,应用限制,三电平拓扑,PSIM,仿真验证,kW,样机,峰值功率,功率达,宽电压输入
AB值：
0.372074
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