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GaN HEMT射频等效电路建模研究
文献摘要：
为了研究GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的射频特性,研究了GaN HEMT电路模型建模方法.综合分析了GaN HEMT器件的物理结构、非线性电容、陷阱效应、自热效应及噪声等特性,提出了一种GaN HEMT射频大信号等效电路模型拓扑.完成了直流及散射参数的拟合,建立Ids方程,通过仿真工具软件ADS2016的仿真结果与实测的10μm×90μm GaN HEMT功率器件的数据对比,验证了所建模型的有效性和准确性.
文献关键词：
GaN高电子迁移率晶体管;电路模型;参数提取;散射参数
中图分类号：
作者姓名：
李超;王军
作者机构：
西南科技大学信息工程学院,四川绵阳621010
文献出处：
引用格式：
[1]李超;王军-.GaN HEMT射频等效电路建模研究)[J].传感器与微系统,2022(07):40-43
A类：
Ids,ADS2016
B类：
GaN,HEMT,电路建模,建模研究,高电子迁移率晶体管,射频特性,物理结构,陷阱效应,自热效应,大信号,等效电路模型,散射参数,仿真工具,工具软件,功率器件,数据对比,参数提取
AB值：
0.294216
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