典型文献
阻挡层抛光液对铜点蚀电化学行为的影响
文献摘要：
采用电化学测试方法研究了在以甘氨酸为络合剂的碱性抛光液中,两种不同缓蚀剂1,2,4-三氮唑(TAZ)和苯并三氮唑(BTA)对阻挡层化学机械平坦化(CMP)过程中Cu点蚀缺陷抑制的电化学行为.利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征了 TAZ与BTA对Cu表面化学微腐蚀形貌的影响.结果表明,甘氨酸的络合溶解作用会诱发Cu表面氧化膜覆盖度降低而产生局部点蚀;BTA与TAZ均为混合型缓蚀剂,可阻碍Cu表面的微电偶形成,但BTA对Cu表面腐蚀的抗点蚀性显著强于TAZ;CMP过程中的点蚀主要表现为静态局部腐蚀.通过优化缓蚀剂浓度,利于抛光液对Cu CMP实现高去除速率下的点蚀缺陷抑制,同时降低Cu的CMP表面粗糙度,从而提升Cu互连可靠性.
文献关键词：
铜;点蚀;络合作用;粗糙度;缓蚀剂
中图分类号：
作者姓名：
赵立仕;孙鸣;李梦琦;马忠臣
作者机构：
河北工业大学 电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]赵立仕;孙鸣;李梦琦;马忠臣-.阻挡层抛光液对铜点蚀电化学行为的影响)[J].半导体技术,2022(06):460-467
A类：
碱性抛光液
B类：
阻挡层,点蚀,电化学行为,电化学测试,测试方法研究,甘氨酸,络合剂,TAZ,苯并三氮唑,BTA,层化,化学机械平坦化,CMP,缺陷抑制,原子力显微镜,AFM,表面化学,腐蚀形貌,解作,表面氧化,氧化膜,覆盖度,混合型缓蚀剂,局部腐蚀,去除速率,表面粗糙度,互连,络合作用
AB值：
0.274808
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