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均一亚微米级氧化铈抛光粉的制备
文献摘要：
为得到均一的亚微米级二氧化铈(CeO2)抛光粉,以六水合硝酸铈(Ce(NO3)3·6H2O)为原料,以醇-水混合溶液为溶剂,采用溶剂热法合成CeO2.改变Ce3+浓度和醇-水体积比,利用X射线衍射仪(XRD)、激光粒度分布仪、扫描电子显微镜(SEM)对CeO2的物相组成和形貌特征进行表征,分析CeO2粒子的形成过程.将合成的CeO2用于6H-SiC晶片Si面的化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP),利用原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM)和电子天平得出CeO2的抛光性能.结果表明:Ce3+浓度为0.10 mol/L,醇-水体积比为3:1时合成的CeO2的形貌规则、晶粒尺寸适中且粒度分布均匀.采用其抛光后,晶片表面粗糙度Ra为0.243 nm,材料去除速率dMRR为287 nm/h.合成的CeO2适用于化学机械抛光.
文献关键词：
CeO2;均一;溶剂热法;化学机械抛光
中图分类号：
作者姓名：
戴蒙姣;陈国美;倪自丰;章平;钱善华;卞达
作者机构：
江南大学 机械工程学院, 江苏 无锡 214122;无锡商业职业技术学院 机电技术学院, 江苏 无锡 214153
文献出处：
引用格式：
[1]戴蒙姣;陈国美;倪自丰;章平;钱善华;卞达-.均一亚微米级氧化铈抛光粉的制备)[J].金刚石与磨料磨具工程,2022(04):428-432
A类：
dMRR
B类：
均一,亚微米级,抛光粉,二氧化铈,CeO2,水合,硝酸铈,NO3,6H2O,混合溶液,溶剂热法,Ce3+,体积比,激光粒度分布仪,物相组成,形貌特征,SiC,晶片,化学机械抛光,chemical,mechanical,polishing,CMP,原子力显微镜,atomic,force,microscopy,AFM,电子天平,抛光性能,晶粒尺寸,适中,表面粗糙度,Ra,材料去除,去除速率
AB值：
0.333409
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